Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223234
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorАбрамов, И. И.-
dc.contributor.authorГончаренко, И. А.-
dc.contributor.authorКоломейцева, И. В.-
dc.date.accessioned2019-07-09T08:06:05Z-
dc.date.available2019-07-09T08:06:05Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 13-16ru
dc.identifier.isbn978-985-518-091-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/223234-
dc.description.abstractОдним из приборов, подтверждающим огромные потенциальные возможности твердотельной наноэлектроники, является резонансно-туннельный диод (РТД). Серьезная проблема при его разработке и исследовании связана с недостаточной адекватностью большинства известных моделей различных формализмов [1]. В данной работе проиллюстрирована адекватность предложенной комбинированной двухзонной модели РТД путем сравнения результатов моделирования с экспериментальными данными. Проанализировано влияние поперечного волнового вектора на результаты расчета вольт-амперных характеристик (ВАХ) исследуемого прибора.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleСогласование комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельного диода с экспериментальными даннымиru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2008. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
13-16.pdf689,21 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.