Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223072| Заглавие документа: | Особенности ВАХ МОП-ПТ с высоколегированной подложкой |
| Авторы: | Андреев, А. Д. Бельский, А. М. Валиев, А. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1997 |
| Издатель: | Минск : Універсітэцкае |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 1. – С. 26-29. |
| Аннотация: | The current-voltage characteristics of the MOSFET with a highly-doped substrate have been measured. It has been shown that the onset voltage for the channal current saturation is smaller than the effective gate voltage, and it increases with temperature. These peculiarities may be caused by an increase in the electrical field, decrease in the electron mobility near the drain region or by the drift velocity saturation. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223072 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 1997, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.