Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223072Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Андреев, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Бельский, А. М. | - |
| dc.contributor.author | Валиев, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-05T09:29:04Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-05T09:29:04Z | - |
| dc.date.issued | 1997 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 1. – С. 26-29. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223072 | - |
| dc.description.abstract | The current-voltage characteristics of the MOSFET with a highly-doped substrate have been measured. It has been shown that the onset voltage for the channal current saturation is smaller than the effective gate voltage, and it increases with temperature. These peculiarities may be caused by an increase in the electrical field, decrease in the electron mobility near the drain region or by the drift velocity saturation. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Особенности ВАХ МОП-ПТ с высоколегированной подложкой | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1997, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.