Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223065
Заглавие документа: | Термические пики при прохождении высокоэнергетических ионов в кристаллах и формирование треков |
Авторы: | Комаров, А. А. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 1997 |
Издатель: | Минск : Універсітэцкае |
Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 1. – С. 15-17. |
Аннотация: | On the basis of the "thermal spike" model consideration was given to effects of high-energy ion implantation into targets with different types of conductivity (Ge, Cu, Pb). Numerical calculation of excited region temperature as a function of time and distance from track axis is presented. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223065 |
ISSN: | 0321-0367 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 1997, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.