Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215263| Title: | Моделирование магнитной системы торцевого холловского источника ионов |
| Other Titles: | Modelling the magnetic system of the end-hall ion source / M. Palmera, B. M. Shandarovich, D. A. Kotov |
| Authors: | Палмера, М. Шандарович, Б. М. Котов, Д. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 326-331. |
| Abstract: | Торцевые холловские источники ионов в последние десятилетия широко используются в промышленном производстве оптических покрытий. Этот тип ионных источников основан на магнитоплазматическом механизме ускорении и эффекте Холла. В данном исследовании производилось моделирование магнитного поля вблизи анода источника с целью получения оптимального распределения значений индукции поля в ускорительном канале. Значения составляющей Br индукции магнитного поля у поверхности анода были уменьшены на 10-40 % с сохранением высоких значений составляющей B x в области плазмообразования, что свидетельствует об увеличении плотности тока ионного пучка. |
| Abstract (in another language): | In recent decades the End-Hall ion sources are widely used in the industrial production of optical coatings. This type of ion sources is based on magnetoplasmic acceleration and the Hall effect. In this study, the magnetic field was simulated near the source anode in order to obtain an optimal distribution of field induction values in the accelerating channel. The values of the magnetic induction component By at the anode surface were reduced by 10-40% while maintaining high values of the B x component in the plasma formation region, which indicates an increase in the current density of the ion source beam. |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215263 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 326-331.pdf | 525,14 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.