Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215263
Заглавие документа: Моделирование магнитной системы торцевого холловского источника ионов
Другое заглавие: Modelling the magnetic system of the end-hall ion source / M. Palmera, B. M. Shandarovich, D. A. Kotov
Авторы: Палмера, М.
Шандарович, Б. М.
Котов, Д. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2018
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 326-331.
Аннотация: Торцевые холловские источники ионов в последние десятилетия широко используются в промышленном производстве оптических покрытий. Этот тип ионных источников основан на магнитоплазматическом механизме ускорении и эффекте Холла. В данном исследовании производилось моделирование магнитного поля вблизи анода источника с целью получения оптимального распределения значений индукции поля в ускорительном канале. Значения составляющей Br индукции магнитного поля у поверхности анода были уменьшены на 10-40 % с сохранением высоких значений составляющей B x в области плазмообразования, что свидетельствует об увеличении плотности тока ионного пучка.
Аннотация (на другом языке): In recent decades the End-Hall ion sources are widely used in the industrial production of optical coatings. This type of ion sources is based on magnetoplasmic acceleration and the Hall effect. In this study, the magnetic field was simulated near the source anode in order to obtain an optimal distribution of field induction values in the accelerating channel. The values of the magnetic induction component By at the anode surface were reduced by 10-40% while maintaining high values of the B x component in the plasma formation region, which indicates an increase in the current density of the ion source beam.
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215263
ISBN: 978-985-566-671-5
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
326-331.pdf525,14 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.