Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215252| Заглавие документа: | Влияние буферного слоя пористого кремния на рост карбида кремния на кремниевой подложке |
| Другое заглавие: | Influence of the porous buffer layer on the growth of silicon carbide on silicon substrate / M. V. Lobanok, S. L. Prakopyeu, A. G. Novikau, O. V. Milchanin, A. L. Dolgiy, V. P. Bondarenko, P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Лобанок, М. В. Прокопьев, С. Л. Новиков, А. Г. Мильчанин, О. В. Долгий, А. Л. Бондаренко, В. П. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 285-290. |
| Аннотация: | Методами резерфордовского обратного рассеяния, растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы слои SiC на Si с буферными слоями пористого кремния, выращенные при высокотемпературном отжиге в вакууме. Методами электронной микроскопии и электронной дифракции обнаружено формирование слоев кубического карбида кремния в виде двухфазной системы – моно- и поликристаллической фазы. Показано, что в результате высокотемпературной обработки происходит образование зерен SiC в порах, а также происходит частичное зарастание пор. Показано, что изменение размера пор изначального пористого слоя приводит к изменению размеров зерен на поверхности и времени зарастания пор. |
| Аннотация (на другом языке): | SiC layers on Si with buffer layers of porous silicon grown in high-temperature annealing in vacuum have been investigated by methods of Rutherford backscattering, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. Electron microscopy and electron diffraction revealed the formation of layers of cubic silicon carbide in the form of a two-phase system-a mono- and polycrystalline phase. SiC grains are formed in the pores and partial pore overgrowth takes place as a result of high-temperature treatment. The change in the pore size of the original porous layer leads to a change in the grain size at the surface and the time of pore over growth. |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215252 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены в рамках проекта 3.2.03 ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника», номер госрегистрации 20162098. |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 285-290.pdf | 550,09 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.