Влияние буферного слоя пористого кремния на рост карбида кремния на кремниевой подложке

Abstract

Методами резерфордовского обратного рассеяния, растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы слои SiC на Si с буферными слоями пористого кремния, выращенные при высокотемпературном отжиге в вакууме. Методами электронной микроскопии и электронной дифракции обнаружено формирование слоев кубического карбида кремния в виде двухфазной системы – моно- и поликристаллической фазы. Показано, что в результате высокотемпературной обработки происходит образование зерен SiC в порах, а также происходит частичное зарастание пор. Показано, что изменение размера пор изначального пористого слоя приводит к изменению размеров зерен на поверхности и времени зарастания пор.