Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215252
Title: Влияние буферного слоя пористого кремния на рост карбида кремния на кремниевой подложке
Other Titles: Influence of the porous buffer layer on the growth of silicon carbide on silicon substrate / M. V. Lobanok, S. L. Prakopyeu, A. G. Novikau, O. V. Milchanin, A. L. Dolgiy, V. P. Bondarenko, P. I. Gaiduk
Authors: Лобанок, М. В.
Прокопьев, С. Л.
Новиков, А. Г.
Мильчанин, О. В.
Долгий, А. Л.
Бондаренко, В. П.
Гайдук, П. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 285-290.
Abstract: Методами резерфордовского обратного рассеяния, растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы слои SiC на Si с буферными слоями пористого кремния, выращенные при высокотемпературном отжиге в вакууме. Методами электронной микроскопии и электронной дифракции обнаружено формирование слоев кубического карбида кремния в виде двухфазной системы – моно- и поликристаллической фазы. Показано, что в результате высокотемпературной обработки происходит образование зерен SiC в порах, а также происходит частичное зарастание пор. Показано, что изменение размера пор изначального пористого слоя приводит к изменению размеров зерен на поверхности и времени зарастания пор.
Abstract (in another language): SiC layers on Si with buffer layers of porous silicon grown in high-temperature annealing in vacuum have been investigated by methods of Rutherford backscattering, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. Electron microscopy and electron diffraction revealed the formation of layers of cubic silicon carbide in the form of a two-phase system-a mono- and polycrystalline phase. SiC grains are formed in the pores and partial pore overgrowth takes place as a result of high-temperature treatment. The change in the pore size of the original porous layer leads to a change in the grain size at the surface and the time of pore over growth.
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215252
ISBN: 978-985-566-671-5
Sponsorship: Исследования выполнены в рамках проекта 3.2.03 ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника», номер госрегистрации 20162098.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
285-290.pdf550,09 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.