Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215239| Title: | Формирование мезопористого кремния в охлажденном электролите |
| Other Titles: | Formation of mesoporous silicon in the cooled electrolyte / A. D. Hurbo, V. P. Bondarenko |
| Authors: | Гурбо, А. Д. Бондаренко, В. П. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 231-235. |
| Abstract: | Методом электрохимического анодирования в электролите на основе фтористо-водородной кислоты на кремниевых подложках электронного типа проводимости получены слои пористого кремния. Изучено влияние температуры электролита и плотности тока анодирования на скорость роста и пористость пористого кремния. |
| Abstract (in another language): | Using the method of electrochemical anodization in a solution based on hydrofluoric acid were obtained layres of porous silicon on the n-type wafers. The influence of temperature and current density on the growth rate and porosity of porous silicon was studied. |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215239 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 231-235.pdf | 1,29 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.