Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215239
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГурбо, А. Д.
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:20Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:20Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 231-235.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215239-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractМетодом электрохимического анодирования в электролите на основе фтористо-водородной кислоты на кремниевых подложках электронного типа проводимости получены слои пористого кремния. Изучено влияние температуры электролита и плотности тока анодирования на скорость роста и пористость пористого кремния.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФормирование мезопористого кремния в охлажденном электролите
dc.title.alternativeFormation of mesoporous silicon in the cooled electrolyte / A. D. Hurbo, V. P. Bondarenko
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeUsing the method of electrochemical anodization in a solution based on hydrofluoric acid were obtained layres of porous silicon on the n-type wafers. The influence of temperature and current density on the growth rate and porosity of porous silicon was studied.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
231-235.pdf1,29 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.