Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215239| Заглавие документа: | Формирование мезопористого кремния в охлажденном электролите |
| Другое заглавие: | Formation of mesoporous silicon in the cooled electrolyte / A. D. Hurbo, V. P. Bondarenko |
| Авторы: | Гурбо, А. Д. Бондаренко, В. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 231-235. |
| Аннотация: | Методом электрохимического анодирования в электролите на основе фтористо-водородной кислоты на кремниевых подложках электронного типа проводимости получены слои пористого кремния. Изучено влияние температуры электролита и плотности тока анодирования на скорость роста и пористость пористого кремния. |
| Аннотация (на другом языке): | Using the method of electrochemical anodization in a solution based on hydrofluoric acid were obtained layres of porous silicon on the n-type wafers. The influence of temperature and current density on the growth rate and porosity of porous silicon was studied. |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215239 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 231-235.pdf | 1,29 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.