Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215234| Title: | Фотолюминесценция элементов на основе пленок Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se4 |
| Other Titles: | Photoluminescence of solar cells based on Cu2ZnSnSe4 and Cu(In,Ga)Se4 thin films / O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, M. V. Yakushev, M. V. Sulimov |
| Authors: | Бородавченко, О. М. Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Якушев, М. В. Сулимов, М. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 21-26. |
| Abstract: | При криогенных температурах ~ 4.2 K исследована фотолюминесценция тонкопленочных солнечных элементов на основе прямозонных полупроводников Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se2 . На основании анализа характеристик полос люминесценции в близкраевой области спектров определены механизмы излучательной рекомбинации. Проведен сравнительный анализ оптических свойств базовых поглощающих слоев в солнечных элементах на основе Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se2 . |
| Abstract (in another language): | At cryogenic temperatures ~ 4.2 K photoluminescence of thin film solar cells based on Cu2ZnSnSe4 and Cu(In,Ga)Se2 semiconductors was studied. Based on the analysis of the characteristics of the luminescence bands in the near-edge region of the spectra the mechanisms of radiative recombination are determined. A comparative analysis of the optical properties of the basic absorbing layers in solar cells based on Cu 2 ZnSnSe 4 and Cu(In,Ga)Se 2 is carried out. |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215234 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Ф18М-042) и гранту Российского научного фонда №17-12-01500. |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.