Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215234
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБородавченко, О. М.
dc.contributor.authorЖивулько, В. Д.
dc.contributor.authorМудрый, А. В.
dc.contributor.authorЯкушев, М. В.
dc.contributor.authorСулимов, М. А.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:19Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:19Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 21-26.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215234-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractПри криогенных температурах ~ 4.2 K исследована фотолюминесценция тонкопленочных солнечных элементов на основе прямозонных полупроводников Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se2 . На основании анализа характеристик полос люминесценции в близкраевой области спектров определены механизмы излучательной рекомбинации. Проведен сравнительный анализ оптических свойств базовых поглощающих слоев в солнечных элементах на основе Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se2 .
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Ф18М-042) и гранту Российского научного фонда №17-12-01500.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФотолюминесценция элементов на основе пленок Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se4
dc.title.alternativePhotoluminescence of solar cells based on Cu2ZnSnSe4 and Cu(In,Ga)Se4 thin films / O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, M. V. Yakushev, M. V. Sulimov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeAt cryogenic temperatures ~ 4.2 K photoluminescence of thin film solar cells based on Cu2ZnSnSe4 and Cu(In,Ga)Se2 semiconductors was studied. Based on the analysis of the characteristics of the luminescence bands in the near-edge region of the spectra the mechanisms of radiative recombination are determined. A comparative analysis of the optical properties of the basic absorbing layers in solar cells based on Cu 2 ZnSnSe 4 and Cu(In,Ga)Se 2 is carried out.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
21-26.pdf415,85 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.