Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215234
Заглавие документа: Фотолюминесценция элементов на основе пленок Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se4
Другое заглавие: Photoluminescence of solar cells based on Cu2ZnSnSe4 and Cu(In,Ga)Se4 thin films / O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, M. V. Yakushev, M. V. Sulimov
Авторы: Бородавченко, О. М.
Живулько, В. Д.
Мудрый, А. В.
Якушев, М. В.
Сулимов, М. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2018
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 21-26.
Аннотация: При криогенных температурах ~ 4.2 K исследована фотолюминесценция тонкопленочных солнечных элементов на основе прямозонных полупроводников Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se2 . На основании анализа характеристик полос люминесценции в близкраевой области спектров определены механизмы излучательной рекомбинации. Проведен сравнительный анализ оптических свойств базовых поглощающих слоев в солнечных элементах на основе Cu2ZnSnSe4 и Cu(In,Ga)Se2 .
Аннотация (на другом языке): At cryogenic temperatures ~ 4.2 K photoluminescence of thin film solar cells based on Cu2ZnSnSe4 and Cu(In,Ga)Se2 semiconductors was studied. Based on the analysis of the characteristics of the luminescence bands in the near-edge region of the spectra the mechanisms of radiative recombination are determined. A comparative analysis of the optical properties of the basic absorbing layers in solar cells based on Cu 2 ZnSnSe 4 and Cu(In,Ga)Se 2 is carried out.
Доп. сведения: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215234
ISBN: 978-985-566-671-5
Финансовая поддержка: Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Ф18М-042) и гранту Российского научного фонда №17-12-01500.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
21-26.pdf415,85 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.