Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона

Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215229

Title:	Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона
Other Titles:	Capacitance in the strong inversion regime of structures Al/SiO2/N-Si irradiated with xenon ions / N. A. Poklonski, N. I. Gorbachuk, S. V. Shpakovski, V. A. Skuratov, A. Wieck
Authors:	Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. Скуратов, В. А. Wieck, A.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2018
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 192-196.
Abstract:	Исследованы зависимости комплексной электрической емкости структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергией 166 МэВ, от частоты переменного тока и постоянного напряжения смещения. Предложена эквивалентная схема замещения облученных структур, находящихся в режиме сильной инверсии, учитывающая генерационно-рекомбинационные процессы на радиационных дефектах в области пространственного заряда и разброс времен перезарядки поверхностных состояний на границе раздела SiO2/n-Si.
Abstract (in another language):	The dependences of the complex electrical capacitance of Al/SiO2/n-Si structures irradiated with xenon ions with an energy of 166 MeV on the frequency of the alternating current and the constant bias voltage are studied. An equivalent circuit of irradiated structures that are in the strong inversion regime is proposed, which takes into account the generation-recombination processes at irradiation-induced defects in the space charge region and the scattering of charge-exchange times for surface states at the SiO2/n-Si interface.
Description:	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/215229
ISBN:	978-985-566-671-5
Appears in Collections:	2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
192-196.pdf		403,34 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar