Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215229Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | |
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | |
| dc.contributor.author | Скуратов, В. А. | |
| dc.contributor.author | Wieck, A. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:18Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:18Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 192-196. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215229 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Исследованы зависимости комплексной электрической емкости структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергией 166 МэВ, от частоты переменного тока и постоянного напряжения смещения. Предложена эквивалентная схема замещения облученных структур, находящихся в режиме сильной инверсии, учитывающая генерационно-рекомбинационные процессы на радиационных дефектах в области пространственного заряда и разброс времен перезарядки поверхностных состояний на границе раздела SiO2/n-Si. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона | |
| dc.title.alternative | Capacitance in the strong inversion regime of structures Al/SiO2/N-Si irradiated with xenon ions / N. A. Poklonski, N. I. Gorbachuk, S. V. Shpakovski, V. A. Skuratov, A. Wieck | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The dependences of the complex electrical capacitance of Al/SiO2/n-Si structures irradiated with xenon ions with an energy of 166 MeV on the frequency of the alternating current and the constant bias voltage are studied. An equivalent circuit of irradiated structures that are in the strong inversion regime is proposed, which takes into account the generation-recombination processes at irradiation-induced defects in the space charge region and the scattering of charge-exchange times for surface states at the SiO2/n-Si interface. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 192-196.pdf | 403,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.