Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215227
Заглавие документа: Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей
Другое заглавие: Dependence of the coefficient of amplification of a bipolar n–p–n-transistor on the parameters of the doped regions and the content of technological impurities / V. B. Odzhaev, A. K. Panfilenko, A. N. Pyatlitski, V. A. Pilipenko, V. S. Prosolovich, V. A. Filipenya, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski
Авторы: Оджаев, В. Б.
Панфиленко, А. К.
Петлицкий, А. Н.
Пилипенко, В. А.
Просолович, В. С.
Филипеня, В. А.
Явид, В. Ю.
Янковский, Ю. Н.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2018
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 183-187.
Аннотация: Методом измерения вольт-амперных характеристик исследована зависимость коэффициента усиления по току биполярных n–p–n-транзисторов от параметров базы и содержания технологических примесей. Установлено, что уменьшение ширины базы в биполярном n–p–n-транзисторе позволяет пропорционально увеличить коэффициент усиления по току. Это справедливо только для среднего и высокого уровня инжекции. При низких (Ic ≤ 10-6 A) уровнях инжекции при наличии в приборах высокой концентрации технологических примесей увеличение темпа рекомбинации носителей в эмиттерном переходе приводит к уменьшению коэффициента инжекции и, как следствие, к уменьшению коэффициента усиления по току. При низких уровнях инжекции этот процесс превалирует над эффектом, достигаемым при увеличении ширины базы.
Аннотация (на другом языке): The dependence of bipolar n–p–n-transistors current gain on base parameters and residual impurities concentration have been investigated by means of input and output current-voltage characteristics measurements. It was shown that at middle and high levels of injection the base width decrease leads to proportional increase of the current gain. At low (Ic ≤ 10-6 A) injection levels in the presence of a high concentration of process impurities in devices, an increase in the rate of carrier recombination in the emitter junction leads to a decrease in the injection coefficient and, as a consequence, to a decrease in the current gain. At low injection levels, this process prevails over the effect achieved with increasing the width of the base.
Доп. сведения: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215227
ISBN: 978-985-566-671-5
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
183-187.pdf402,94 kBAdobe PDFОткрыть


PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.