Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей

Abstract

Методом измерения вольт-амперных характеристик исследована зависимость коэффициента усиления по току биполярных n–p–n-транзисторов от параметров базы и содержания технологических примесей. Установлено, что уменьшение ширины базы в биполярном n–p–n-транзисторе позволяет пропорционально увеличить коэффициент усиления по току. Это справедливо только для среднего и высокого уровня инжекции. При низких (Ic ≤ 10-6 A) уровнях инжекции при наличии в приборах высокой концентрации технологических примесей увеличение темпа рекомбинации носителей в эмиттерном переходе приводит к уменьшению коэффициента инжекции и, как следствие, к уменьшению коэффициента усиления по току. При низких уровнях инжекции этот процесс превалирует над эффектом, достигаемым при увеличении ширины базы.