Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215223| Title: | Фотоотклик субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излучения |
| Other Titles: | Photoresponse of deep submicron SOI MOSFET under the effect of picosecond laser irradiation / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov |
| Authors: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 18-21. |
| Abstract: | На основе многочастичного метода Монте-Карло проведено моделирование отклика тока субмикронного МОП-транзистора со структурой кремний-на-изоляторе (КНИ-МОП-транзистора) на воздействие импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности. Исследовано время затухания тока, а также динамика распределения сгенерированных излучением носителей заряда в канале транзистора. |
| Abstract (in another language): | The ensemble Monte Carlo simulation of submicron SOI MOSFET current response on the effect of picosecond laser pulses is carried out. The current decay time and the dynamics of generated charge carriers in the transistor channel are studied. |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215223 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.