Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215223
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБорздов, А. В.
dc.contributor.authorБорздов, В. М.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:17Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:17Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 18-21.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215223-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractНа основе многочастичного метода Монте-Карло проведено моделирование отклика тока субмикронного МОП-транзистора со структурой кремний-на-изоляторе (КНИ-МОП-транзистора) на воздействие импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности. Исследовано время затухания тока, а также динамика распределения сгенерированных излучением носителей заряда в канале транзистора.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФотоотклик субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излучения
dc.title.alternativePhotoresponse of deep submicron SOI MOSFET under the effect of picosecond laser irradiation / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe ensemble Monte Carlo simulation of submicron SOI MOSFET current response on the effect of picosecond laser pulses is carried out. The current decay time and the dynamics of generated charge carriers in the transistor channel are studied.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
18-21.pdf424,23 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.