Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215223| Заглавие документа: | Фотоотклик субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излучения |
| Другое заглавие: | Photoresponse of deep submicron SOI MOSFET under the effect of picosecond laser irradiation / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov |
| Авторы: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 18-21. |
| Аннотация: | На основе многочастичного метода Монте-Карло проведено моделирование отклика тока субмикронного МОП-транзистора со структурой кремний-на-изоляторе (КНИ-МОП-транзистора) на воздействие импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности. Исследовано время затухания тока, а также динамика распределения сгенерированных излучением носителей заряда в канале транзистора. |
| Аннотация (на другом языке): | The ensemble Monte Carlo simulation of submicron SOI MOSFET current response on the effect of picosecond laser pulses is carried out. The current decay time and the dynamics of generated charge carriers in the transistor channel are studied. |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215223 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.