Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215217| Title: | Процессы кластерообразования фосфора и бора в кремнии |
| Other Titles: | Phosphorus and boron clustering in silicon / O. I. Velichko |
| Authors: | Величко, О. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 146-149. |
| Abstract: | Проведено моделирование процессов кластерообразоваиия атомов фосфора и бора при термической диффузии в кристаллическом кремнии. Сравнение с экспериментом позволило определить зарядовые состояния кластеров и другие особенности процессов кластерообразования. |
| Abstract (in another language): | The modeling of clustering of phosphorus and boron atoms in the course of thermal diffusion in crystalline silicon was carried out. The charge states of clusters and other specific features of clustering were obtained from the comparison with experimental data. |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215217 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 146-149.pdf | 572,92 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.