Процессы кластерообразования фосфора и бора в кремнии

Величко, О. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215217

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Величко, О. И.
dc.date.accessioned	2019-02-21T13:28:16Z	-
dc.date.available	2019-02-21T13:28:16Z	-
dc.date.issued	2018
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 146-149.
dc.identifier.isbn	978-985-566-671-5
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/215217	-
dc.description	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstract	Проведено моделирование процессов кластерообразоваиия атомов фосфора и бора при термической диффузии в кристаллическом кремнии. Сравнение с экспериментом позволило определить зарядовые состояния кластеров и другие особенности процессов кластерообразования.
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Процессы кластерообразования фосфора и бора в кремнии
dc.title.alternative	Phosphorus and boron clustering in silicon / O. I. Velichko
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	The modeling of clustering of phosphorus and boron atoms in the course of thermal diffusion in crystalline silicon was carried out. The charge states of clusters and other specific features of clustering were obtained from the comparison with experimental data.
Appears in Collections:	2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
146-149.pdf		572,92 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar