Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215217Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Величко, О. И. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:16Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:16Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 146-149. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215217 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование процессов кластерообразоваиия атомов фосфора и бора при термической диффузии в кристаллическом кремнии. Сравнение с экспериментом позволило определить зарядовые состояния кластеров и другие особенности процессов кластерообразования. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Процессы кластерообразования фосфора и бора в кремнии | |
| dc.title.alternative | Phosphorus and boron clustering in silicon / O. I. Velichko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The modeling of clustering of phosphorus and boron atoms in the course of thermal diffusion in crystalline silicon was carried out. The charge states of clusters and other specific features of clustering were obtained from the comparison with experimental data. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 146-149.pdf | 572,92 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.