Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215217| Заглавие документа: | Процессы кластерообразования фосфора и бора в кремнии |
| Другое заглавие: | Phosphorus and boron clustering in silicon / O. I. Velichko |
| Авторы: | Величко, О. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 146-149. |
| Аннотация: | Проведено моделирование процессов кластерообразоваиия атомов фосфора и бора при термической диффузии в кристаллическом кремнии. Сравнение с экспериментом позволило определить зарядовые состояния кластеров и другие особенности процессов кластерообразования. |
| Аннотация (на другом языке): | The modeling of clustering of phosphorus and boron atoms in the course of thermal diffusion in crystalline silicon was carried out. The charge states of clusters and other specific features of clustering were obtained from the comparison with experimental data. |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215217 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 146-149.pdf | 572,92 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.