Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215205| Заглавие документа: | Влияние структуры знаков совмещения на их «читаемость» после эпитаксиального наращивания кремния |
| Другое заглавие: | The influence of alignment mark structure on their readability after epitaxial growth of silicon layers / O. Y. Nalivaiko, N. A. Bakhmatova, N. S. Kovalchuk, A. S. Turtsevich, A. K. Ratino |
| Авторы: | Наливайко, О. Ю. Бахматова, Н. А. Ковальчук, Н. C. Турцевич, А. С. Ратино, А. К. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 96-101. |
| Аннотация: | Установлено, что структура знака совмещения установок проекционной литографии существенно влияет на его «читаемость» после эпитаксиального наращивания кремния. Показано, что «читаемость» знаков совмещения в виде светорассеивающих или светопоглощающих полос зависит от глубины лунок. В то же время, для обеспечения хорошего контраста и «читаемости» знаков совмещения необходимо увеличивать расстояние между полосами, по крайней мере, до 15 мкм. Для установок проекционной литографии с дифракционными знаками совмещения для обеспечения устойчивого «чтения» знаков совмещения также целесообразно увеличить расстояние между центрами полос до 15–20 мкм. |
| Аннотация (на другом языке): | It was defined that the structure of alignment marks of projection lithography systems have an significant influence on their readability after epitaxial growth of silicon layers. It was shown that readability of alignment marks in form of light-diffusing or light-absorbing strips depends on the hole depth. At the same time, to provide the good contrast and readability it is necessary to increase the distance between hole strips at least up to 15 micron. For projection lithography systems with diffractive alignment marks it is also reasonable to increase the distance between hole strips up to 15–20 micron. |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215205 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 96-101.pdf | 560,52 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.