Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215205| Title: | Влияние структуры знаков совмещения на их «читаемость» после эпитаксиального наращивания кремния |
| Other Titles: | The influence of alignment mark structure on their readability after epitaxial growth of silicon layers / O. Y. Nalivaiko, N. A. Bakhmatova, N. S. Kovalchuk, A. S. Turtsevich, A. K. Ratino |
| Authors: | Наливайко, О. Ю. Бахматова, Н. А. Ковальчук, Н. C. Турцевич, А. С. Ратино, А. К. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 96-101. |
| Abstract: | Установлено, что структура знака совмещения установок проекционной литографии существенно влияет на его «читаемость» после эпитаксиального наращивания кремния. Показано, что «читаемость» знаков совмещения в виде светорассеивающих или светопоглощающих полос зависит от глубины лунок. В то же время, для обеспечения хорошего контраста и «читаемости» знаков совмещения необходимо увеличивать расстояние между полосами, по крайней мере, до 15 мкм. Для установок проекционной литографии с дифракционными знаками совмещения для обеспечения устойчивого «чтения» знаков совмещения также целесообразно увеличить расстояние между центрами полос до 15–20 мкм. |
| Abstract (in another language): | It was defined that the structure of alignment marks of projection lithography systems have an significant influence on their readability after epitaxial growth of silicon layers. It was shown that readability of alignment marks in form of light-diffusing or light-absorbing strips depends on the hole depth. At the same time, to provide the good contrast and readability it is necessary to increase the distance between hole strips at least up to 15 micron. For projection lithography systems with diffractive alignment marks it is also reasonable to increase the distance between hole strips up to 15–20 micron. |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215205 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 96-101.pdf | 560,52 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.