Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215204| Title: | Выращивание эпитаксиальных слоев кремния с использованием трихлорсилана |
| Other Titles: | Epitaxial growth of silicon layers using trichlorosilane / O. Y. Nalivaiko, A. S. Turtsevich, K. V. Rudnitsky, A. V. Shamplet, I. A. Nagaev |
| Authors: | Наливайко, О. Ю. Турцевич, А. С. Рудницкий, К. В. Шамплет, А. В. Нагаев, И. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 92-96. |
| Abstract: | Определены режимы эпитаксиального наращивания кремния с использованием трихлорсилана, обеспечивающие формирование эпитаксиальных пленок кремния со скоростью роста от 0,2 до 1,5 мкм/мин. Показана возможность выбора условий роста, обеспечивающих получение требуемой величины смещения топологического рисунка (от 100–120% при температуре осаждения 1200 °С до 45–60 % при температуре осаждения 1200 °С и 1120 °С). Это позволило использовать имеющиеся комплекты фотошаблонов при производстве широкой номенклатуры ИС. |
| Abstract (in another language): | It was defined the conditions of epitaxial silicon growth using trichlorosilane, which provide the formation of epitaxial silicon layers with deposition rate from 0,2 to 1,5 micron/min. It was shown the possibility of selection of silicon growth conditions, which provide the required value of pattern shift (from 100-120% at 1200 °C to 45-60% at 1200 and 1120 °C). It make it possible to use the existing sets of photomask for wide IC range. |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215204 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.