Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215204Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | |
| dc.contributor.author | Рудницкий, К. В. | |
| dc.contributor.author | Шамплет, А. В. | |
| dc.contributor.author | Нагаев, И. А. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:13Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:13Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 92-96. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215204 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Определены режимы эпитаксиального наращивания кремния с использованием трихлорсилана, обеспечивающие формирование эпитаксиальных пленок кремния со скоростью роста от 0,2 до 1,5 мкм/мин. Показана возможность выбора условий роста, обеспечивающих получение требуемой величины смещения топологического рисунка (от 100–120% при температуре осаждения 1200 °С до 45–60 % при температуре осаждения 1200 °С и 1120 °С). Это позволило использовать имеющиеся комплекты фотошаблонов при производстве широкой номенклатуры ИС. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Выращивание эпитаксиальных слоев кремния с использованием трихлорсилана | |
| dc.title.alternative | Epitaxial growth of silicon layers using trichlorosilane / O. Y. Nalivaiko, A. S. Turtsevich, K. V. Rudnitsky, A. V. Shamplet, I. A. Nagaev | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | It was defined the conditions of epitaxial silicon growth using trichlorosilane, which provide the formation of epitaxial silicon layers with deposition rate from 0,2 to 1,5 micron/min. It was shown the possibility of selection of silicon growth conditions, which provide the required value of pattern shift (from 100-120% at 1200 °C to 45-60% at 1200 and 1120 °C). It make it possible to use the existing sets of photomask for wide IC range. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.