Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215191| Title: | Магниторезистивный эффект в пленках железа, полученных методом ионно-ассистированного осаждения на кремниевых подложках |
| Other Titles: | Magnetoresistic effect in iron films obtained by the method of ion assessed sedimentation on silicon substrates / V. I. Golovchuk, M. G. Lukashevich, R. I. Khaibullin, N. M. Lyadov, I. A. Fayzrakhmanov |
| Authors: | Головчук, В. И. Лукашевич, М. Г. Хайбуллин, Р. И. Лядов, Н. М. Файзрахманов, И. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 42-47. |
| Abstract: | Изучение магнитной микроструктуры пленок железа, полученных методом ионно-ассистированного осаждения на разных подложках показало, что в них возможно формирование доменной микроструктуры с перпендикулярной магнитной анизотропией. Отжиг тонких (d = 80 нм) пленок железа, полученных на кремниевых подложках методом ионно-ассистированного осаждения, приводит к смене знака магниторезистивного эффекта с отрицательного на положительный в слабом магнитном поле, а также изменению величины и вида его магнитополевой зависимости. |
| Abstract (in another language): | The study of the magnetic microstructure of iron films obtained by ion-assisted deposition on different substrates showed that a domain microstructure with a perpendicular magnetic anisotropy is possible in them. Annealing of thin (d = 80 nm) iron films obtained on silicon substrates by ion-assisted deposition leads to a change in the sign of the magnetoresistive effect from negative to positive in a weak magnetic field, as well as to a change in the magnitude and type of its magnetic-field dependence. |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215191 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Sponsorship: | Н. М. Лядов благодарит РФФИ (проект № 18-32-00203) за финансовую поддержку данных исследований. |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.