Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215191Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Головчук, В. И. | |
| dc.contributor.author | Лукашевич, М. Г. | |
| dc.contributor.author | Хайбуллин, Р. И. | |
| dc.contributor.author | Лядов, Н. М. | |
| dc.contributor.author | Файзрахманов, И. А. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:11Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:11Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 42-47. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215191 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Изучение магнитной микроструктуры пленок железа, полученных методом ионно-ассистированного осаждения на разных подложках показало, что в них возможно формирование доменной микроструктуры с перпендикулярной магнитной анизотропией. Отжиг тонких (d = 80 нм) пленок железа, полученных на кремниевых подложках методом ионно-ассистированного осаждения, приводит к смене знака магниторезистивного эффекта с отрицательного на положительный в слабом магнитном поле, а также изменению величины и вида его магнитополевой зависимости. | |
| dc.description.sponsorship | Н. М. Лядов благодарит РФФИ (проект № 18-32-00203) за финансовую поддержку данных исследований. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Магниторезистивный эффект в пленках железа, полученных методом ионно-ассистированного осаждения на кремниевых подложках | |
| dc.title.alternative | Magnetoresistic effect in iron films obtained by the method of ion assessed sedimentation on silicon substrates / V. I. Golovchuk, M. G. Lukashevich, R. I. Khaibullin, N. M. Lyadov, I. A. Fayzrakhmanov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The study of the magnetic microstructure of iron films obtained by ion-assisted deposition on different substrates showed that a domain microstructure with a perpendicular magnetic anisotropy is possible in them. Annealing of thin (d = 80 nm) iron films obtained on silicon substrates by ion-assisted deposition leads to a change in the sign of the magnetoresistive effect from negative to positive in a weak magnetic field, as well as to a change in the magnitude and type of its magnetic-field dependence. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.