Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215191
Title: Магниторезистивный эффект в пленках железа, полученных методом ионно-ассистированного осаждения на кремниевых подложках
Other Titles: Magnetoresistic effect in iron films obtained by the method of ion assessed sedimentation on silicon substrates / V. I. Golovchuk, M. G. Lukashevich, R. I. Khaibullin, N. M. Lyadov, I. A. Fayzrakhmanov
Authors: Головчук, В. И.
Лукашевич, М. Г.
Хайбуллин, Р. И.
Лядов, Н. М.
Файзрахманов, И. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 42-47.
Abstract: Изучение магнитной микроструктуры пленок железа, полученных методом ионно-ассистированного осаждения на разных подложках показало, что в них возможно формирование доменной микроструктуры с перпендикулярной магнитной анизотропией. Отжиг тонких (d = 80 нм) пленок железа, полученных на кремниевых подложках методом ионно-ассистированного осаждения, приводит к смене знака магниторезистивного эффекта с отрицательного на положительный в слабом магнитном поле, а также изменению величины и вида его магнитополевой зависимости.
Abstract (in another language): The study of the magnetic microstructure of iron films obtained by ion-assisted deposition on different substrates showed that a domain microstructure with a perpendicular magnetic anisotropy is possible in them. Annealing of thin (d = 80 nm) iron films obtained on silicon substrates by ion-assisted deposition leads to a change in the sign of the magnetoresistive effect from negative to positive in a weak magnetic field, as well as to a change in the magnitude and type of its magnetic-field dependence.
Description: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215191
ISBN: 978-985-566-671-5
Sponsorship: Н. М. Лядов благодарит РФФИ (проект № 18-32-00203) за финансовую поддержку данных исследований.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
42-47.pdf552,57 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.