Моделирование процессов изменения компонентного состава SiGe-материала при импульсном лазерном облучении

Abstract

Numerical calculations of processes of semiconductors heating by radiation as well as processes of the SiGe material component composition changing because of their uneven heating have been conducted. A physical model of three-dimensional structures formation on semiconductor surface by laser pulse radiation have been suggested. = Проведены численные расчеты процессов нагревания полупроводников при воздействии лазерного излучения, а также процессов изменения компонентного состава в приповерхностной области SiGe, вызванных их неравномерным нагревом. Предложена физическая модель процессов формирования трехмерных структур на поверхности полупроводников и образования δ-слоя Ge в кремнии под действием лазерных импульсов.