Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/2140
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПанфиленок, Е. С.-
dc.contributor.authorМанак, И. С.-
dc.contributor.authorМедвидь, А.-
dc.contributor.authorОнуфриев, П.-
dc.date.accessioned2011-05-05T12:01:37Z-
dc.date.available2011-05-05T12:01:37Z-
dc.date.issued2010-01-
dc.identifier.citationВестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2010. - N 1. - С. 67-71.ru
dc.identifier.issn0321-0367-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/2140-
dc.description.abstractNumerical calculations of processes of semiconductors heating by radiation as well as processes of the SiGe material component composition changing because of their uneven heating have been conducted. A physical model of three-dimensional structures formation on semiconductor surface by laser pulse radiation have been suggested. = Проведены численные расчеты процессов нагревания полупроводников при воздействии лазерного излучения, а также процессов изменения компонентного состава в приповерхностной области SiGe, вызванных их неравномерным нагревом. Предложена физическая модель процессов формирования трехмерных структур на поверхности полупроводников и образования δ-слоя Ge в кремнии под действием лазерных импульсов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГУru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМоделирование процессов изменения компонентного состава SiGe-материала при импульсном лазерном облученииru
dc.typearticleru
Располагается в коллекциях:2010, №1 (январь)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
15Моделирование процессов Вестник_БГУ_Январь_2010_Серия1_№1.pdf505,96 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.