Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/211332| Заглавие документа: | Трековая преципитация в пересыщенных слоях Si0,5Ge0,5-сплавов |
| Авторы: | Гайдук, Петр Иванович Траутман, Кристина Толемонд, Мархель Ларсен, Арне Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2003. - № 3. – С. 31-35. |
| Аннотация: | We report the first observation of latent tracks in a single-crystalline Si0,5Ge0,5 alloy layers irradiated with 1,3 GeV U ions in the electronic stopping power regime. Transmission electron microscopy in both conventional and high-resolution mode reveals more or less discontinuous tracks depending on the composition of the Si1-xGex alloy and on the arsenic doping level. The morphology and the atomic structure of the tracks are analyzed. The results are discussed in the frame of the thermal-spike approach which assumes both track melting and imperfect crystallization. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/211332 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2003, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.