Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/211332Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гайдук, Петр Иванович | - |
| dc.contributor.author | Траутман, Кристина | - |
| dc.contributor.author | Толемонд, Мархель | - |
| dc.contributor.author | Ларсен, Арне Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-12-19T07:16:22Z | - |
| dc.date.available | 2018-12-19T07:16:22Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2003. - № 3. – С. 31-35. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/211332 | - |
| dc.description.abstract | We report the first observation of latent tracks in a single-crystalline Si0,5Ge0,5 alloy layers irradiated with 1,3 GeV U ions in the electronic stopping power regime. Transmission electron microscopy in both conventional and high-resolution mode reveals more or less discontinuous tracks depending on the composition of the Si1-xGex alloy and on the arsenic doping level. The morphology and the atomic structure of the tracks are analyzed. The results are discussed in the frame of the thermal-spike approach which assumes both track melting and imperfect crystallization. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Трековая преципитация в пересыщенных слоях Si0,5Ge0,5-сплавов | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.