Метод корреляций при исследовании n- и n+-GaAs, имплантированного низкими дозами ионов

Abstract

Представлены результаты эксперимента по ионной имплантации арсенида галлия бором и аргоном дозами менее 1х1013 см-2. Отклик проводимости невырожденных полупроводниковых тестовых структур на слабое возмущение ионами легких и средних масс является аддитивным и подчиняется известному для других видов радиационного облучения экспоненциальному закону. Для вырожденного GaAs чувствительность к дозе снижается за счет теплового ионизационного механизма, частично компенсирующего захват свободных носителей заряда радиационными уровнями дефектов в запрещенной зоне, причем степень компенсации усиливается с возрастанием исходного уровня легирования. Предложено аналитическое выражение, описывающее удаление носителей заряда. Результаты могут быть использованы при дозиметрическом контроле процесса ионной имплантации.