Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208233
Заглавие документа: | Метод корреляций при исследовании n- и n+-GaAs, имплантированного низкими дозами ионов |
Другое заглавие: | Method of correlations at research n- and n+-GaAs implanted by low dozes of ions / V.l. Kiselev |
Авторы: | Киселев, В. И. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2003 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 259-261. |
Аннотация: | Представлены результаты эксперимента по ионной имплантации арсенида галлия бором и аргоном дозами менее 1х1013 см-2. Отклик проводимости невырожденных полупроводниковых тестовых структур на слабое возмущение ионами легких и средних масс является аддитивным и подчиняется известному для других видов радиационного облучения экспоненциальному закону. Для вырожденного GaAs чувствительность к дозе снижается за счет теплового ионизационного механизма, частично компенсирующего захват свободных носителей заряда радиационными уровнями дефектов в запрещенной зоне, причем степень компенсации усиливается с возрастанием исходного уровня легирования. Предложено аналитическое выражение, описывающее удаление носителей заряда. Результаты могут быть использованы при дозиметрическом контроле процесса ионной имплантации. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208233 |
ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
259-261.pdf | 3,14 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.