Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208233
Title: Метод корреляций при исследовании n- и n+-GaAs, имплантированного низкими дозами ионов
Other Titles: Method of correlations at research n- and n+-GaAs implanted by low dozes of ions / V.l. Kiselev
Authors: Киселев, В. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 259-261.
Abstract: Представлены результаты эксперимента по ионной имплантации арсенида галлия бором и аргоном дозами менее 1х1013 см-2. Отклик проводимости невырожденных полупроводниковых тестовых структур на слабое возмущение ионами легких и средних масс является аддитивным и подчиняется известному для других видов радиационного облучения экспоненциальному закону. Для вырожденного GaAs чувствительность к дозе снижается за счет теплового ионизационного механизма, частично компенсирующего захват свободных носителей заряда радиационными уровнями дефектов в запрещенной зоне, причем степень компенсации усиливается с возрастанием исходного уровня легирования. Предложено аналитическое выражение, описывающее удаление носителей заряда. Результаты могут быть использованы при дозиметрическом контроле процесса ионной имплантации.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/208233
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
259-261.pdf3,14 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.