Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206641| Заглавие документа: | Профиль приповерхностной примеси в МОП-структурах, полученных фотонным воздействием |
| Другое заглавие: | The profile of impurity in a MOS-frames obtained by photon effect / L.S.Podval'niy, S.Yu.Plaksin |
| Авторы: | Подвальный, Л. С. Плаксин, С. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 190-191. |
| Аннотация: | Цель работы - исследование влияния у-радиации на электрофизические характеристики - плотность быстрых поверхностных состояний Nss - в тонкопленочных МОП-конденсаторах. Тонкопленочный SiO2 был выращен быстрым термическим окислением (RTO) в сухом кислороде при 1150°С в течение 12 с. Электрофизические характеристики тонкопленочных МОП-конденсаторов были измерены высокочастотным и квазистатическим C -V методом. |
| Аннотация (на другом языке): | The purpose of work is inverstigation of the y-radiation influence on the electrophysical characteristics (fast surface states - N55) of thin-film MOS-capacitors. The thin-film SiO2Was grown by rapid thermal oxidation (RTO) in dry O2 at 1150°C for 12s. The electrophysical characteristics of thin-film MOS-capacitors was measured by high-frequency and quasi-static C-V methods. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206641 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 190-191.pdf | 1,88 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.