Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206641
Title: Профиль приповерхностной примеси в МОП-структурах, полученных фотонным воздействием
Other Titles: The profile of impurity in a MOS-frames obtained by photon effect / L.S.Podval'niy, S.Yu.Plaksin
Authors: Подвальный, Л. С.
Плаксин, С. Е.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 190-191.
Abstract: Цель работы - исследование влияния у-радиации на электрофизические характеристики - плотность быстрых поверхностных состояний Nss - в тонкопленочных МОП-конденсаторах. Тонкопленочный SiO2 был выращен быстрым термическим окислением (RTO) в сухом кислороде при 1150°С в течение 12 с. Электрофизические характеристики тонкопленочных МОП-конденсаторов были измерены высокочастотным и квазистатическим C -V методом.
Abstract (in another language): The purpose of work is inverstigation of the y-radiation influence on the electrophysical characteristics (fast surface states - N55) of thin-film MOS-capacitors. The thin-film SiO2Was grown by rapid thermal oxidation (RTO) in dry O2 at 1150°C for 12s. The electrophysical characteristics of thin-film MOS-capacitors was measured by high-frequency and quasi-static C-V methods.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206641
ISBN: 985-445-237-9
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
190-191.pdf1,88 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.