Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206641
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПодвальный, Л. С.-
dc.contributor.authorПлаксин, С. Е.-
dc.date.accessioned2018-10-04T10:51:17Z-
dc.date.available2018-10-04T10:51:17Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 190-191.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206641-
dc.description.abstractЦель работы - исследование влияния у-радиации на электрофизические характеристики - плотность быстрых поверхностных состояний Nss - в тонкопленочных МОП-конденсаторах. Тонкопленочный SiO2 был выращен быстрым термическим окислением (RTO) в сухом кислороде при 1150°С в течение 12 с. Электрофизические характеристики тонкопленочных МОП-конденсаторов были измерены высокочастотным и квазистатическим C -V методом.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleПрофиль приповерхностной примеси в МОП-структурах, полученных фотонным воздействиемru
dc.title.alternativeThe profile of impurity in a MOS-frames obtained by photon effect / L.S.Podval'niy, S.Yu.Plaksinru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe purpose of work is inverstigation of the y-radiation influence on the electrophysical characteristics (fast surface states - N55) of thin-film MOS-capacitors. The thin-film SiO2Was grown by rapid thermal oxidation (RTO) in dry O2 at 1150°C for 12s. The electrophysical characteristics of thin-film MOS-capacitors was measured by high-frequency and quasi-static C-V methods.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
190-191.pdf1,88 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.