Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206611| Title: | Физика и технология трансмутационного легирования арсенида галлия |
| Other Titles: | Physics and technology of the transmutation doping of gallium arsenide / V.A.Bykovsky, V.I.Khitko |
| Authors: | Быковский, В. А. Хитько, В. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1999 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 125-127. |
| Abstract: | Проведены комплексные исследования электрофизических и рекомбинационных свойств нейтронно и фотоядерно легированного арсенида галлия. Рассмотрено влияние свойств исходного материала и условий облучения на закономерности пострадиационного отжига и процессы дефектообразования в трансмутационно легированных монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaAs. Обсуждается роль остаточной технологической примеси углерода в процессах радиационного дефектообразования и рассмотрены механизмы излучательной рекомбинации в трансмутационно легированном GaAs. |
| Abstract (in another language): | Combined investigation of electrophysical and recombination properties of neutron (NTD) and photonuclear (PTD) transmutation doped GaAs crystals and epilayers was carried out using conductivity and Hall effect measurements, low temperature photoluminescence and deep level transient spectroscopy methods. The effect of starting GaAs properties and irradiation conditions on post irradiation annealing characteristic features and defect formation processes in NTD GaAs single crystals and epilayers was investigated. Residual carbon impurity influence in the processes of radiation induced defect (RID) formation in transmutation doped GaAs is discussed. The mechanisms of radiative recombination and impurity-defect structure of NTD GaAs are considered. For the first time there were studied characteristic features of electrophysical and recombination properties recovery during isochronous annealing process of GaAs epilayers, which were irradiated with the aim of transmutation doping by bremsstrahlung of fast electrons. Impurity-defect structure of PND GaAs epilayers is considered. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206611 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Appears in Collections: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 125-127.pdf | 3,47 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.