Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206561Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Тагаев, М. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-10-03T13:51:26Z | - |
| dc.date.available | 2018-10-03T13:51:26Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 94-95. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-237-9 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206561 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние у-радиации 60Co в диапазоне доз 103 - 5 105 Гр на вольтамперные характеристики (ВАХ) кремниевых лавинно-пролетных диодов (ЛПД). Показана возможность улучшения параметров ЛПД, вплоть до получения идеального диода Шокли с фактором неидеальности на прямой ветви BAX1 равным 1,17, за счет радиационно-стимулированного гетгерирования. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Радиационно-стимулированное генерирование в кремниевых p-n-переходах | ru |
| dc.title.alternative | Radiation-induced getteringin silicon p-n junctions / M.B.Tagaev | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | For small-area silicon diffusion p-n junctions that are used when producing IMPATT diodes it is shown that one can make their I - V curves close to the ideal one. To this end the packaged IMPATT diodes were exposed to 60Co y-radiation in the 103 to 5-10sGr dose range. When the irradiation dose was from 103 to 104 Grl then the diode I - V curves remained practically the same. The exposition up to a dose of 2 IO5Gr resulted in improvement of the diode electrical characteristics. By this the ideality factor for the forward branch of the I - V curve becomes 1.17 and the reverse current substantially decreases. An analysis made for the diode exposed to a dose of 2-105 Gr has shown that the forward branch of its I - V curve may be described by the expression similar to that for the ideal diode. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.