Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206541
Title: Эволюция дефектов в кристаллическом InP при облучении ионами Xe сверхвысоких энергий
Other Titles: Defect evolution in crystalline InP during implantation of 250 or 340 MEV Xe ions / P.l.Gaiduk, V.S.Tishkov, F.F.Komarov, W.Wesch
Authors: Гайдук, П. И.
Тишков, В. С.
Комаров, Ф. Ф.
Веш, В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 39-41.
Abstract: C помощью методов просвечивающей электронной микроскопии и резерфордовского обратного рассеяния исследованы процессы формирования и эволюции дефектов структуры в кристаллическом InP при имплантации ионов Xe с энергией 250 и 340 МэВ. Установлены основные закономерности формирования скрытых треков, скоплений точечных дефектов, микродвойников, аморфных областей в слоях кристалла, где ионы теряют свою энергию преимущественно на возбуждение электронной подсистемы. Впервые обнаружено и исследовано формирование вюрцитной модификации InP при облучении тяжелыми ионами сверхвысоких энергий. Результаты исследований интерпретированы в рамках представлений о формировании термических пиков и плавлении трековых областей. Предложена модель дефектообразования в InPl учитывающая накопление точечных дефектов и их кластеров при многократном плавлении и кристаллизации трековых областей.
Abstract (in another language): The processes of defects formation and evolution in crystalline InP during implantation of 250 or 340 MeV Xe ions are investigated by transmission electron microscopy and Rutherford backscattering spectroscopy. The type and concentration of defects varies with depth due to the different dominating interaction processes of the ions with the solid. A fluence-dependent damage production is observed in the region of dominating electronic excitation for an electronic energy deposition above ~13 keV/(ion nm). It is found for the first time that highest ion dozes result in a partial crystallization of the amorphous surface layer; this process passes a stage of wurtzite InP phase formation which is found to be metastable. The observed findings are interpreted as the effect of a thermal spike in combination with damage accumulation resulting from imperfect recrystallization of the molten tracks.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206541
ISBN: 985-445-237-9
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
39-41.pdf3,5 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.