Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206541Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
| dc.contributor.author | Тишков, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Веш, В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-10-03T12:35:05Z | - |
| dc.date.available | 2018-10-03T12:35:05Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 39-41. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-237-9 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206541 | - |
| dc.description.abstract | C помощью методов просвечивающей электронной микроскопии и резерфордовского обратного рассеяния исследованы процессы формирования и эволюции дефектов структуры в кристаллическом InP при имплантации ионов Xe с энергией 250 и 340 МэВ. Установлены основные закономерности формирования скрытых треков, скоплений точечных дефектов, микродвойников, аморфных областей в слоях кристалла, где ионы теряют свою энергию преимущественно на возбуждение электронной подсистемы. Впервые обнаружено и исследовано формирование вюрцитной модификации InP при облучении тяжелыми ионами сверхвысоких энергий. Результаты исследований интерпретированы в рамках представлений о формировании термических пиков и плавлении трековых областей. Предложена модель дефектообразования в InPl учитывающая накопление точечных дефектов и их кластеров при многократном плавлении и кристаллизации трековых областей. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Эволюция дефектов в кристаллическом InP при облучении ионами Xe сверхвысоких энергий | ru |
| dc.title.alternative | Defect evolution in crystalline InP during implantation of 250 or 340 MEV Xe ions / P.l.Gaiduk, V.S.Tishkov, F.F.Komarov, W.Wesch | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | The processes of defects formation and evolution in crystalline InP during implantation of 250 or 340 MeV Xe ions are investigated by transmission electron microscopy and Rutherford backscattering spectroscopy. The type and concentration of defects varies with depth due to the different dominating interaction processes of the ions with the solid. A fluence-dependent damage production is observed in the region of dominating electronic excitation for an electronic energy deposition above ~13 keV/(ion nm). It is found for the first time that highest ion dozes result in a partial crystallization of the amorphous surface layer; this process passes a stage of wurtzite InP phase formation which is found to be metastable. The observed findings are interpreted as the effect of a thermal spike in combination with damage accumulation resulting from imperfect recrystallization of the molten tracks. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.