Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206532| Заглавие документа: | Влияние СВЧ-облучения на структуру и свойства полупроводниковых кристаллов |
| Другое заглавие: | Influence of microwave-irradiation on semiconductor crystals structure and properties / R.I.Baitsar, H.M.Bortnik, S.S.Varshava, I.V.Kurylo |
| Авторы: | Байцар, Р. И. Бортник, Г. Н. Варшава, С. С. Курило, И. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 16-18. |
| Аннотация: | Исследовано влияние СВЧ-облучения (1...20 ГГц) на электросопротивление нитевидных кристаллов полупроводников Si, Si-Ge1 GaAs, GaAsP. Проанализированы зависимости изменения сопротивления образцов, находящихся в СВЧ-поле, от падающей мощности и от частоты излучения. При послепороговых дозах облучения установлено уменьшение микротвердости GaAs, эффективной поверхностной энергии и напряжения хрупкого разрушения в пределах до 40% Показано, что нитевидные полупроводниковые кристаллы могут эффективно использоваться в СВЧ-технике. |
| Аннотация (на другом языке): | The influence of microwave - irradiation (1 ... 20 GHz) on electroresistance of Si, Si-Ge1 GaAs1 GaAsP semiconductor whiskers was investigated. The dependences of resistance change of samples setting in microwave - field on power and frequency of radiation were analysed. At irradiation dozes above threshold doze the decrease of GaAs crystals microhardness, effective superficial energy and fragile destruction voltage in limits up to 40 % were established. It is shown, that semiconductor whiskers can effectively be used as sensors of microwave - radiation power in the microwave technique. Their advantage is the increased sensitivity to small values of radiation power. The dependence of sensitivity coefficient to radiation power on geometrical parameter SI I, where the S-area of cross section, I - length of a sample, and also frequency dependence of electrical parameters testify to heterogeneity whiskers. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206532 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.