Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206532
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБайцар, Р. И.-
dc.contributor.authorБортник, Г. Н.-
dc.contributor.authorВаршава, С. С.-
dc.contributor.authorКурило, И. В.-
dc.date.accessioned2018-10-03T11:25:36Z-
dc.date.available2018-10-03T11:25:36Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 16-18.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206532-
dc.description.abstractИсследовано влияние СВЧ-облучения (1...20 ГГц) на электросопротивление нитевидных кристаллов полупроводников Si, Si-Ge1 GaAs, GaAsP. Проанализированы зависимости изменения сопротивления образцов, находящихся в СВЧ-поле, от падающей мощности и от частоты излучения. При послепороговых дозах облучения установлено уменьшение микротвердости GaAs, эффективной поверхностной энергии и напряжения хрупкого разрушения в пределах до 40% Показано, что нитевидные полупроводниковые кристаллы могут эффективно использоваться в СВЧ-технике.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние СВЧ-облучения на структуру и свойства полупроводниковых кристалловru
dc.title.alternativeInfluence of microwave-irradiation on semiconductor crystals structure and properties / R.I.Baitsar, H.M.Bortnik, S.S.Varshava, I.V.Kuryloru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe influence of microwave - irradiation (1 ... 20 GHz) on electroresistance of Si, Si-Ge1 GaAs1 GaAsP semiconductor whiskers was investigated. The dependences of resistance change of samples setting in microwave - field on power and frequency of radiation were analysed. At irradiation dozes above threshold doze the decrease of GaAs crystals microhardness, effective superficial energy and fragile destruction voltage in limits up to 40 % were established. It is shown, that semiconductor whiskers can effectively be used as sensors of microwave - radiation power in the microwave technique. Their advantage is the increased sensitivity to small values of radiation power. The dependence of sensitivity coefficient to radiation power on geometrical parameter SI I, where the S-area of cross section, I - length of a sample, and also frequency dependence of electrical parameters testify to heterogeneity whiskers.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
16-18.pdf3,06 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.