Особенности термической и радиационной деградации контактных структур на основе фаз внедрения

Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Миленин, В. В.; Войциховский, Д. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205842

Title:	Особенности термической и радиационной деградации контактных структур на основе фаз внедрения
Other Titles:	The features of thermal and radiation degradation of interstitial-phase-based contact structures / N.S.Boltovets, R.V.Konakova, V.V.Milenin, D.I.Voitsikhovskyi
Authors:	Болтовец, Н. С. Конакова, Р. В. Миленин, В. В. Войциховский, Д. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2001
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 243-245.
Abstract:	Рассмотрено влияние комплексного воздействия быстрых термических отжигов (БТО) и у-радиации 60Со на параметры диодных чипов ZrBx(TIBx)-n-n^-Si и профили компонентов в контактах ZrBx(TIBx)-Si. БТО проводились в атмосфере водорода в течении 60C при температурах 400, 600, 800 и 950 °С. Облучение у-квантами 60Со проводилось в интервале доз 104-106 Р. Показано, что при терморадиационных обработках диодные чипы сохраняют свои свойства во всем диапазоне активных воздействий. Облучение у-квантами 60Со в интервале доз 104-106 P приводит к улучшению параметров диодных чипов ZrBx(TIBx)-n-n''-Si.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/205842
ISBN:	985-445-236-0
Appears in Collections:	2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
243-245.pdf		707,25 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar