Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205842
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБолтовец, Н. С.-
dc.contributor.authorКонакова, Р. В.-
dc.contributor.authorМиленин, В. В.-
dc.contributor.authorВойциховский, Д. И.-
dc.date.accessioned2018-09-10T11:08:39Z-
dc.date.available2018-09-10T11:08:39Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 243-245.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/205842-
dc.description.abstractРассмотрено влияние комплексного воздействия быстрых термических отжигов (БТО) и у-радиации 60Со на параметры диодных чипов ZrBx(TIBx)-n-n^-Si и профили компонентов в контактах ZrBx(TIBx)-Si. БТО проводились в атмосфере водорода в течении 60C при температурах 400, 600, 800 и 950 °С. Облучение у-квантами 60Со проводилось в интервале доз 104-106 Р. Показано, что при терморадиационных обработках диодные чипы сохраняют свои свойства во всем диапазоне активных воздействий. Облучение у-квантами 60Со в интервале доз 104-106 P приводит к улучшению параметров диодных чипов ZrBx(TIBx)-n-n''-Si.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОсобенности термической и радиационной деградации контактных структур на основе фаз внедренияru
dc.title.alternativeThe features of thermal and radiation degradation of interstitial-phase-based contact structures / N.S.Boltovets, R.V.Konakova, V.V.Milenin, D.I.Voitsikhovskyiru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
243-245.pdf707,25 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.