Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205842
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Болтовец, Н. С. | - |
dc.contributor.author | Конакова, Р. В. | - |
dc.contributor.author | Миленин, В. В. | - |
dc.contributor.author | Войциховский, Д. И. | - |
dc.date.accessioned | 2018-09-10T11:08:39Z | - |
dc.date.available | 2018-09-10T11:08:39Z | - |
dc.date.issued | 2001 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 243-245. | ru |
dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205842 | - |
dc.description.abstract | Рассмотрено влияние комплексного воздействия быстрых термических отжигов (БТО) и у-радиации 60Со на параметры диодных чипов ZrBx(TIBx)-n-n^-Si и профили компонентов в контактах ZrBx(TIBx)-Si. БТО проводились в атмосфере водорода в течении 60C при температурах 400, 600, 800 и 950 °С. Облучение у-квантами 60Со проводилось в интервале доз 104-106 Р. Показано, что при терморадиационных обработках диодные чипы сохраняют свои свойства во всем диапазоне активных воздействий. Облучение у-квантами 60Со в интервале доз 104-106 P приводит к улучшению параметров диодных чипов ZrBx(TIBx)-n-n''-Si. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Особенности термической и радиационной деградации контактных структур на основе фаз внедрения | ru |
dc.title.alternative | The features of thermal and radiation degradation of interstitial-phase-based contact structures / N.S.Boltovets, R.V.Konakova, V.V.Milenin, D.I.Voitsikhovskyi | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
243-245.pdf | 707,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.