Радиационное изменение электрофизических и спектроскопических характеристик структур SiO2/Si

Abstract

Спектры ИК поглощения сухих и пирогенных термических пленок SiO2, выращенных по стандартной промышленной технологии, демонстрируют различия в структуре ближнего порядка, что сказывается на их электрофизических свойствах. Установлено, что основные различия, определяющие электрофизические характеристики и локальную структуру пленок, формируются на технологической стадии их изготовления через процессы вязкоупругой релаксации механических напряжений в двуслойной системе SiO2/Si. Гамма-облучение вызывает лишь перезарядку изначально существующих ловушек в подзатворных окислах МОП структур. Сделан вывод о возможности использования ИК колебательной спектроскопии для адекватной оценки качества выращенных термических пленок SiO2 в технологии микроэлектроники без дополнительных затрат на изготовление SiO2 тестовых МОП структур.